主な光デバイス開発用プロセス装置
| 装置名 | 用途 | |
|---|---|---|
| 1 | スピンコータ | ホトレジスト塗布 |
| 2 | 露光装置 | パターン転写 |
| 3 | ドラフトチャンバー | 化学薬品を使用した洗浄、エッチング処理、レジスト現像、有機溶剤による洗浄等 |
| 4 | ICPドライエッチング装置 | GaAs,InP等化合物半導体のドライエッチング |
| 5 | P-CVD装置 | SiO2膜の形成 |
| 6 | RFスパッタ装置 | 誘電体薄膜形成 |
| 7 | 段差測定器 | 2次元表面プロファイル測定基板表面形状、薄膜厚みエッチング深さ 等 |
| 8 | 分光エリプソメータ | 薄膜厚み、光学定数の波長分散測定 |
| 9 | ICPドライエッチング装置 | シリコン、酸化膜、金属等のエッチング |
| 10 | プラズマドライクリーニング装置 | 基板表面洗浄残渣有機物除去 |
| 11 | 抵抗加熱蒸着装置 | 金属薄膜の堆積 |
| 12 | 電子ビーム（EB）蒸着装置 | 金属薄膜形成 |
| 13 | シンター炉 | オーミック電極形成用熱処理（N2 雰囲気中） |
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