主なミリ波デバイス開発用プロセス装置
装置名 | 用途 | |
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1 | メタルスパッタ装置 | 誘電体膜の成膜 |
2 | EB蒸着装置、小型抵抗蒸着装置 | 金属薄膜の真空体積・蒸着 |
3 | P-CVD装置 | SiO2膜の形成 |
4 | 電子ビーム露光装置 | 電子ビームによるレジスト描画・露光 |
5 | マスクアライナー | 紫外線によるレジスト露光 |
6 | RIEエッチング装置 | 化合物半導体・絶縁膜のドライエッチング |
7 | バレル型プラズマ処理装置 | 基板表面洗浄、残渣有機物除去 |
8 | ICPメタルエッチング装置 | 金属薄膜・化合物半導体のドライエッチング |
9 | 赤外線ランプ加熱装置 | オーミック電極形成の急速熱処理 |
10 | 表面微細形状計測装置 | 表面の段差、表面粗さ、微細形状を計測 |
11 | 基板加工装置 | 基板の切断、研磨、ビア形成等(レーザーソー、ダイシングソー、バックグラインダ、ウエハ洗浄装置) |
12 | 走査型電子顕微鏡 | 微細形状、断面構造の観察 |
13 | 赤外線分光装置(FT-IR) | 赤外線領域での透過率スペクトル測定 |
14 | ラマン分光装置 | 散乱光のスペクトル測定 |
15 | 高周波測定装置 | 高周波特性の測定 |
16 | 小型高速テラヘルツ時間領域分光装置 | テラヘルツ領域における材料特性の測定 |
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