国立研究開発法人 情報通信研究機構 ネットワーク研究所 先端ICTデバイスラボ

製造元：ミカサ(株)
型　式： IH-DX2
用　途： ホトレジスト塗布

仕　様
　型式：回転塗布式
　回転数: 300-7000rpm
　回転制御：プログラム方式
　回転時間：最大999.9秒
　資料サイズ：154mmφ(MAX)

製造元： ミカサ(株)
型　式： MA-20
用　途： パターン転写

仕　様
　露光方式：マスク密着型
　顕微鏡：双対物型双眼
　光源：超高圧水銀ランプ

　マスクサイズ：最大5インチ
　ウエファサイズ：φ1~φ4インチ

製造元： ヤマト化学（株）
型　式： RFS-1500SZ,RFS-1800SZ

用途：化学薬品を使用した洗浄、エッチング処理、レジスト現像、有機溶剤による洗浄等

超音波洗浄器
超純水供給設備　2個所

製造元： サムコ（株）製
型　式： RIE-101iPHJF
用　途： GaAs,InP等化合物半導体のドライエッチング

仕様
　放電方式：ICP型高密度プラズマ
　RF出力：ICP 　1KW(MAX)　13.56MHz
BIAS 300KW(MAX) 13.56MHz
　主排気：ターボ分子ポンプ
　試料ホルダ： 100 mmφ MAX
　ロードロック機構付
　基板加熱：オイルチラー方式
　　　　　　　　200℃　MAX

導入ガス： Cl2, BCl3, SicL4 　

製造元： サムコ（株）
型　式： PD-220NLJ
用　途： SiO2膜の形成v

仕　様
　方式：液体ソース(TEOS)プラズマCVD
　RF出力: 300W（MAX)13.56MHｚ
排気：メカニカルブースターポンプ
ロードロック機構付

　基板温度 : 400℃(MAX)
　基板サイズ：200mmφ(MAX)

　接続ガス：TEOS, O2,CF4

製造元： キャノンアネルバ(株)
型　式： EB1100
用　途： 誘電体薄膜形成

仕　様
　平行平板型上部基板取り付けタイプ
　主排気：ターボ分子ポンプ
　RFパワー：300W(MAX)
　カソード数：プレーナ型マグネトロン4基
　基板加熱機構：300℃MAX
　ロードロック式
　多層膜自動堆積　
　成膜エリア:220ﾐﾘ以下

適応： SiO2,TiO2,Al2O3 等

製造元： ブルカー・エイエックスエス
型　式： Dektak XT
用　途： 2次元表面プロファイル測定
　　　　　基板表面形状、薄膜厚み
　　　　　エッチング深さ　等

仕　様
　測定方式：針移動による表面接触式
　スキャン長：55mm
　段差測定再現性：<5Å
　高さ分解能：1Åmax
　触圧範囲：1~15mg
　最大サンプル高さ：50mm
最大ウエハサイズ：200mm　　　

製造元： J.A.Woollam
型　式： α-SE
用　途： 薄膜厚み、光学定数の波長分散測定

仕　様
　波長範囲：382~890nm
　測定チャンネル：180
解析モデル：Causy,Lorentz等

　試料サイズ：150×150mm,厚さ10mm(MAX)

製造元： サムコ（株）製
型　式： RIE-101iPHJF
用　途： シリコン、酸化膜、金属等の
　　　　　エッチング

仕様
　放電方式：ICP型高密度プラズマ
　RF出力：ICP 1KW(MAX) 13.56MHz
BIAS 300KW(MAX) 13.56MHz
　主排気：ターボ分子ポンプ
　試料ホルダ： 100 mmφ MAX
　ロードロック機構付
　基板加熱：オイルチラー方式
　　　　　　　　200℃　MAX

導入ガス： CF4, O2, Ar, C3F8

製造元： サムコ（株）
型　式： PC-300J
用　途： 基板表面洗浄
　　　　　残渣有機物除去

仕　様
　RF出力：300w(MAX)　13.56MHz
　基板サイズ：最大8インチφ
　連続運転時間：99min（MAX)

　 RIEモード／プラズマエッチングモードが選択可能

接続ガス： O2,Ar,O2

製造元： キャノンアネルバ（株）
型　式： L-043E
用　途： 金属薄膜の堆積

仕様
　下側電極数：３（スイッチによる切り替え）
　ボート型ヒーターによる上向き堆積
　主排気：ターボ分子ポンプ
　　バルブ開閉は全てマニュアル式
　チャンバー開閉：上下電動式
　基板ホルダ回転機構：無

適応：Au, AuZnNi, AuGeNi

製造元： 神港精機(株)
型　式： AAMF-C1050SB
用　途： 金属薄膜形成

仕　様
　主排気：クライオポンプ
　電子銃:10kw6連
　基板ホルダ：3インチφ　6枚　

　金属膜の多層自動堆積可

　適応：Ti, Pt, Au, Ni, Cr 等

製造元： ケミトロニクス(株)
型　式： OS-3500E
用　途： オーミック電極形成用熱処理
　　　　　（N2 雰囲気中）

仕　様
　プロセス温度：～600 ℃（MAX)
　ウエファサイズ：3インチφ（MAX)

その他：
ウエファ25枚カセット、自動搬送にて加熱処理が可能。