国立研究開発法人 情報通信研究機構 ネットワーク研究所 先端ICTデバイスラボ

製造元：アルバックテクノ(株)
型　式：CS-200
用　途：誘電体薄膜形成

仕　様
• ウェハサイズ： 小片～300mm径
• スパッタ・成膜方式： デポダウン（スパッタ成膜面は上向き、カソード面は下向き）
• プレーナ・マグネトロン・カソード： 3式（非磁性体用、4インチ径）1式（磁性体用、4インチ径）
• DC電源（最大）： 2.0kW
• RF電源（最大）： 1.0kW（DC/RFの同時・重畳放電は不可）
• 放電可能圧力： 0.1～1.5 Pa
• 基板温度（最大）： 300℃
• ターゲット・基板間距離： 60～160mm（可変）
• 主排気：ターボ分子ポンプ
• ロードロック機構： 有
• 導入ガス： Ar、N2
• スパッタ材料： Ta、Mo、Ni、Ti、Al、SiO2

製造元：正和ハイテック
型　式：S100
用　途：金属薄膜の真空堆積・蒸着

仕　様
• 堆積・成膜方式： フェースダウン（堆積・成膜面は下向き、EBボート・蒸着ボートは上向き）
• EBボート数： 6
• 蒸着ボート電極数： 2
• 主排気： クライオポンプ、ターボ分子ポンプ
• 基板ホルダ回転機構： 有
• ロードロック機構： 有
• 蒸着材料（EBボート）： Ti、W、Ni、Al2O3、Mo、Si、Pt
• 蒸着材料（蒸着ボート）： Au、AuGe、Ni、Cu、Al等

製造元：北野精機（株）
型　式： RFS-1500SZ,RFS-1800SZ

用途：金属薄膜の真空堆積・蒸着

仕　様
• 堆積・成膜方式： フェースダウン（堆積・成膜面は下向き、EBボート・蒸着ボートは上向き）
• ボート型ヒーターによる上向き堆積
• 電極数： 4（スイッチによる切替え）
• 主排気： ターボ分子ポンプ
• 基板ホルダ回転機構： 無
• バルブ開閉機構： 手動式
• チャンバー開閉： 手動クレーン式
• 蒸着材料： Au、AuGe、Ni、Cu、Ti等

製造元： サムコ（株）製
型　式： PD-240
用　途：SiO2膜の形成

仕　様
• 基板サイズ（最大）： 200mm径
• 方式：液体ソース（TEOS）プラズマCVD
• RF出力（最大）： 300W、13.56MHz
• 基板温度（最大）： 400℃
• ロードロック機構： 有
• 導入ガス： TEOS、CF4、N2、O2

製造元：日本電子（株）
型　式：JBX-9500FSZ
用　途：電子ビームによるレジスト描画・露光

仕　様
• ウェハサイズ： 15mm角～300mm径
• 電子銃： ZrO/Wショットキー型（熱電界放射型）
• 加速電圧： 100kV（固定）
• ビーム形状： スポット（ガウシアン）ビーム
• ビーム径： 3.2nm以下（加速電圧100kV時）
• ビーム電流： 0.3pA～100nA
• 描画・露光方式： ベクタースキャン方式
• フィールドサイズ： 1mm角

微細パターンのマスクとレジスト膜を塗布した試料基板を密着させ，紫外線により露光する装置。
製造元：KarlSuss
型　式：MA-6

仕　様
• 露光光源；超高圧水銀灯350W
• 最大基板口径；6インチ径
• 実用解像度；1μm

製造元：サムコ（株）
型　式：RIE-200L
用　途：化合物半導体・絶縁膜のドライエッチング

仕　様
• ウェハサイズ（最大）： 8インチ径
• RF出力（最大）：300W、13.56MHz
• 主排気：ターボ分子ポンプ
• ロードロック機構： 有
• プラズマプロセスモニタ： 有
• 導入ガス（F系）： CF4、SF6、CHF3、O2、Ar
• 導入ガス（Cl系）： Cl2、BCl3、Ar、O2
• エッチング可能材料： 化合物半導体、絶縁膜

製造元：サムコ（株）
型　式：PM-631
用　途：基板表面洗浄、残渣有機物除去

仕　様
• ウェハサイズ： 小片（数mm角）～8インチ径
• 方式： ダイレクト・プラズマ方式
• 反応室： バレル型（石英）、φ317mm×780mm
• 電極構造： 外部容量結合型電極（アルミ製）
• RF出力： 100～1000W、13.56MHz
• 主排気： ロータリーポンプ
• 導入ガス： O2、N2

製造元：サムコ（株）
型　式：RIE-140iPJ
用　途：金属薄膜・化合物半導体のドライエッチング

仕　様
• ウェハサイズ（最大）： 4インチ径
• 放電方式：トルネード型誘導結合方式（ICP）
• ICP出力： 50～500W、13.56MHz
• RF出力：30～300W、13.56MHz
• プロセス圧力： 0.1～13.3 Pa
• 電極温度： 20～200℃（オイルチラー方式）
• 主排気：ターボ分子ポンプ
• ロードロック機構： 有
• 干渉式リアルタイム膜厚モニタ： 有
• プラズマ発光分析器： 有
• 導入ガス： HBr、SiCl4、BCl3、Cl2、O2、Ar
• エッチング可能材料： 金属薄膜、化合物半導体

製造元：アルバック理工（株）
型　式：RTP-6
用　途：オーミック電極形成の急速熱処理

仕　様
• ウェハサイズ（最大）： 6インチ径
• プロセス温度： 室温～1000 ℃
• 加熱方式： 放物面反射赤外線ランプによる上面片面加熱
• 加熱速度（最大）： 50℃/秒
• 加熱制御方式： フィードバック方式（クリーズドループ制御）
• 加熱雰囲気： ガス中、ガスフロー中、大気中
• 冷却方式： メタルチャンバー式コールドウォール構造による急速冷却
• 主排気： スクロールポンプ
• 導入ガス： N2

製造元：ミカサ(株)
型　式：ET4000A-MKS
用　途：表面の段差、表面粗さ、微細形状を計測

仕　様
• 試料サイズ（最大）： 200mm角
• 検出器センサー： 直動式差動変圧器
• 検出器センサー測定範囲（最大）： 100μm
• スタイラス針圧： 0.1～50mgf
• 測定項目： 微細形状、段差、粗さ、うねり

製造元：（株）ディスコ
型　式：DFL7560V
用　途：レーザーダイシング・ビア形成

仕　様
• ワークサイズ（最大）： 6インチ径
• 対応フレーム： 2-6-1
• レーザー波長： 約350nm
• パルス繰り返し周波数（最大）： 200kHz
• レーザー出力（最大）： 10W（出射口）約8W（加工点）
• ビームスポット径（代表値）： 約50 μm
• ステージ速度（最大）： 1m/s
• 加工方法： ビア形成、グルービング、フルカット、HASENカット
• 加工可能材料：Si、GaAs、InP、GaN、SiC、LN、サファイア、セラミック等

製造元：（株）ディスコ
型　式：DAD3230
用　途：ダイシング

仕　様
• ワークサイズ（最大）： 6インチ径
• 対応フレーム： 2-6-1
• 対応ブレード： 2インチハブブレード2インチハブレス（ワッシャ）ブレード
• 最大ブレード厚： 1mm
• スピンドル回転数： 3000～40000rpm
• ブレード破損検出器： 有
• 純水リサイクル装置（ディスコ（株）製DWR1721）による切削水・冷却水供給、排水処理
• 切削可能材料： Si、GaAs、InP、GaN、SiC、LN、サファイア、セラミック等（但し、ブレード仕様に依存）
• 導入ガス： N2

製造元：（株）ディスコ
型　式：DAG810
用　途：バックグライディング（裏面研削・薄化加工）

仕　様
• ワークサイズ（最大）： 8インチ径
• 研削可能ワーク厚さ（最大）： 20mm
• 対応フレーム： 2-6-1、2-8-1
• 研削方法： インフィード
• 研削厚さ測定： ハイトゲージによるインプロセス制御
• スピンドル回転数： 1000～7000rpm
• チャックテーブル回転数: 0～300rpm
• 純水リサイクル装置（ディスコ（株）製DWR1721）による研削水・冷却水供給、排水処理
• 研削可能材料： Si、化合物半導体等（但し、ホイール仕様に依存）

製造元：（株）ディスコ
型　式：DCS1440
用　途：半導体ウェハの洗浄

仕　様
• ワークサイズ（最大）： 6インチ径
• 対応フレーム： 2-6-1
• 洗浄方式： 二流体洗浄
• 洗浄シーケンス： 任意設定可能（アーム旋回スピード、洗浄箇所）
• 純水リサイクル装置（ディスコ（株）製DWR1721）による洗浄水供給、排水処理

［電界放射型SEM］加速電圧1kVにおいても，実用倍率10万倍の高倍率電子顕微鏡。最大2インチウェハ相当の大きさのサンプルまで観察可能。主として断面構造の観察に使用している。
製造元：日立製作所
型　式：S4500

仕　様
• FE（電界放射）型電子銃
• セミインレンズ方式
• 最大加速電圧30kV

フーリエ変換赤外線分光装置試料の赤外線領域での透過率スペクトルを測定する。フーリエ変換によりスペクトルを測定するので，短時間に測定が可能である。真空排気可能な通常の資料室に加え，微小領域の観察が可能な顕微鏡を備えている。
製造元：日本分光
型　式：HR660
 

仕　様
• 測定範囲：7800?350 cm-1
• 分解能：0.5 cm-1
• S/N：25000

ラマン分光装置入射光と異なる散乱光のスペクトルを測定する事により，物質の同定や物質のエネルギ準位を求める。また，結晶性の評価にも用いられる。
製造元：JobinYvon
型　式：HR800
 

仕　様
• 光源：Arレーザ（488nm）
• 分解能：0.35/cm
• 対物レンズ倍率：×10，×50，×100

ネットワークアナライザ 製造元：キーサイト・テクノロジー
型　式：PNA, PNA-X
用　途：Sパラメータ測定
周波数：10MHz~67GHz

周波数エクステンダ
製造元：VDI社まはたOML社
用　途： Sパラ測定の周波数アップコンバージョン
周波数：60-1100GHzの各導波管バンド

各種プローバ（オンウエハ測定）
半導体パラメータアナライザ
電波暗室（伝搬計測システム）

基本測定器類
（オシロスコープ、スペクトルアナライザ、信号源、ロジックアナライザ、電力計、等）

製造元：(株)アドバンテスト
型　式：TAS7500SP x1,TAS7500SU x1
用　途：テラヘルツ領域における材料特性の計測（透過・反射・ATR等の分光解析）

仕　様

TAS7500SP：

• 測定帯域：0.1～4THz

  TAS7500SU：

• 測定帯域：0.5～7THz

  〔共通〕

• 周波数確度：±10GHz以下
• 周波数分解能：7.6GHz
• ﾀﾞｲﾅﾐｯｸﾚﾝｼﾞ：60dB以上（ﾋﾟｰｸ周波数にて）
• ｽﾙｰﾌﾟｯﾄ：8ms/scan
• 試料寸法：透過/反射：φ5~30mm, t<10mm
  ATR：φ5mm以下（粉体）、φ5~20mm, t<10mm（固体）