主なミリ波デバイス開発用プロセス装置

  装置名 用途
1 メタルスパッタ装置 誘電体膜の成膜
2 EB蒸着装置小型抵抗蒸着装置 金属薄膜の真空体積・蒸着
3 P-CVD装置 SiO2膜の形成
4 電子ビーム露光装置 電子ビームによるレジスト描画・露光
5 マスクアライナー 紫外線によるレジスト露光
6 RIEエッチング装置 化合物半導体・絶縁膜のドライエッチング
7 バレル型プラズマ処理装置 基板表面洗浄、残渣有機物除去
8 ICPメタルエッチング装置 金属薄膜・化合物半導体のドライエッチング
9 赤外線ランプ加熱装置 オーミック電極形成の急速熱処理
10 表面微細形状計測装置 表面の段差、表面粗さ、微細形状を計測
11 基板加工装置 基板の切断、研磨、ビア形成等(レーザーソーダイシングソーバックグラインダウエハ洗浄装置
12 走査型電子顕微鏡 微細形状、断面構造の観察
13 赤外線分光装置(FT-IR) 赤外線領域での透過率スペクトル測定
14 ラマン分光装置 散乱光のスペクトル測定
15 高周波測定装置 高周波特性の測定
16 小型高速テラヘルツ時間領域分光装置 テラヘルツ領域における材料特性の測定

お問い合わせについて

お問い合わせは下記先端ICTデバイスラボ事務局へお願いいたします。

メールアドレス
sentan.ict@ml.nict.go.jp
郵便等宛先
〒184-8795
東京都小金井市貫井北町4-2-1
国立研究開発法人 情報通信研究機構
先端ICTデバイスラボ 事務局
FAX番号
042-327-6491

土曜、日曜、祝祭日については受付をしておりません。
電子メールおよびFAXは常時受信可能ですが、お問い合わせへのお返事は休日明け以降となります。

TOPへ戻る