ミリ波デバイス関連施設の概要

ミリ波デバイス関連施設は地上2階建てで、クリンルームなど5つの実験室、及びそれらの実験環境を支える機械設備が設けられています。半導体プロセス、基板加工、材料評価、高周波評価など、先端ICTデバイスの作製から評価までを一貫してオールインワンで研究できる環境を提供しています。

クリーンルーム(ミリ波研究棟1階)

   

クリンルームには各種のプロセス用装置を配置してあり、半導体基板上への各種薄膜成長から、誘電体・金属薄膜の成膜、微細パターン形成、ドライエッチング加工など様々なプロセスの実験が可能です。

設置装置・・・メタルスパッタ装置、電子ビーム露光装置、マスクアライナー、ドライエッチング装置、ランプ加熱装置、表面微細形状計測装置、各種ドラフタ、レジスト塗布装置、純水供給設備など

103基板加工室(ミリ波研究棟1階)

   

基板加工室では、ダイシング、バックグライディング、ウェハ洗浄などの後工程プロセス装置が利用できます(上図)。

なお、テープマウンタ、エキスパンダー、UV照射器、ブレーカーは203評価室に設置しています(下図)。

設置装置・・・レーザーソー、ダイシングソー、バックグラインダ、ウェハ洗浄装置、純水リサイクル装置、測定顕微鏡、膜厚計など

108分析室(ミリ波研究棟1階)

分析室では、デバイスへの電極形成のための真空蒸着装置やPL測定やX線回折などの種々のプロセス装置・評価機器が利用できます。

設置装置・・・EB蒸着装置、小型抵抗蒸着装置、PL測定装置、XRD、ラマン分光装置、FTIRなど

203評価室(ミリ波研究棟2階)

   

評価室では、ネットワークアナライザなどによりSパラメータ測定などデバイス特性評価を行うための種々の高周波計測機器が利用できます。

設置機器・・・ネットワークアナライザ、周波数エクステンダ、プローブステーション、半導体パラメータアナライザ、信号発生器、スペクトラムアナライザなど

207実験室(ミリ波研究棟2階)

207実験室には、テラヘルツ帯の電磁波で材料特性等を評価する小型高速テラヘルツ時間領域分光装置が設置されています。

お問い合わせについて

お問い合わせは下記先端ICTデバイスラボ事務局へお願いいたします。

メールアドレス
sentan.ict@ml.nict.go.jp
郵便等宛先
〒184-8795
東京都小金井市貫井北町4-2-1
国立研究開発法人 情報通信研究機構
先端ICTデバイスラボ 事務局
FAX番号
042-327-6491

土曜、日曜、祝祭日については受付をしておりません。
電子メールおよびFAXは常時受信可能ですが、お問い合わせへのお返事は休日明け以降となります。

TOPへ戻る