主な光デバイス開発用プロセス装置:詳細

スピンコータ

スピンコータ

製造元:ミカサ(株)
型 式: IH-DX2
用 途: ホトレジスト塗布

仕 様
 型式:回転塗布式
 回転数: 300-7000rpm
 回転制御:プログラム方式
 回転時間:最大999.9秒
 資料サイズ:154mmφ(MAX)

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露光装置

露光装置

製造元: ミカサ(株)
型 式: MA-20
用 途: パターン転写

仕 様
 露光方式:マスク密着型
 顕微鏡:双対物型双眼
 光源:超高圧水銀ランプ

 マスクサイズ:最大5インチ
 ウエファサイズ:φ1~φ4インチ

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ドラフトチャンバー

ドラフトチャンバー

製造元: ヤマト化学(株)
型 式: RFS-1500SZ,RFS-1800SZ

用途:化学薬品を使用した洗浄、エッチング処理、レジスト現像、有機溶剤による洗浄等

超音波洗浄器
超純水供給設備 2個所

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ICPドライエッチング装置

ICPドライエッチング装置

製造元: サムコ(株)製
型 式: RIE-101iPHJF
用 途: GaAs,InP等化合物半導体のドライエッチング

仕様
 放電方式:ICP型高密度プラズマ
 RF出力:ICP  1KW(MAX) 13.56MHz
BIAS 300KW(MAX) 13.56MHz
 主排気:ターボ分子ポンプ
 試料ホルダ: 100 mmφ MAX
 ロードロック機構付
 基板加熱:オイルチラー方式
        200℃ MAX

導入ガス: Cl2, BCl3, SicL4  

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P-CVD装置

P-CVD装置

製造元: サムコ(株)
型 式: PD-220NLJ
用 途: SiO2膜の形成v

仕 様
 方式:液体ソース(TEOS)プラズマCVD
 RF出力: 300W(MAX)13.56MHz
排気:メカニカルブースターポンプ
ロードロック機構付

 基板温度 : 400℃(MAX)
 基板サイズ:200mmφ(MAX)

 接続ガス:TEOS, O2,CF4

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RFスパッタ装置

RFスパッタ装置

製造元: キャノンアネルバ(株)
型 式: EB1100
用 途: 誘電体薄膜形成

仕 様
 平行平板型上部基板取り付けタイプ
 主排気:ターボ分子ポンプ
 RFパワー:300W(MAX)
 カソード数:プレーナ型マグネトロン4基
 基板加熱機構:300℃MAX
 ロードロック式
 多層膜自動堆積 
 成膜エリア:220ミリ以下

適応: SiO2,TiO2,Al2O3 等

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段差測定器

段差測定器

製造元: ブルカー・エイエックスエス
型 式: Dektak XT
用 途: 2次元表面プロファイル測定
     基板表面形状、薄膜厚み
     エッチング深さ 等

仕 様
 測定方式:針移動による表面接触式
 スキャン長:55mm
 段差測定再現性:<5Å
 高さ分解能:1Åmax
 触圧範囲:1~15mg
 最大サンプル高さ:50mm
最大ウエハサイズ:200mm   

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分光エリプソメータ

分光エリプソメータ

製造元: J.A.Woollam
型 式: α-SE
用 途: 薄膜厚み、光学定数の波長分散測定

仕 様
 波長範囲:382~890nm
 測定チャンネル:180
解析モデル:Causy,Lorentz等

 試料サイズ:150×150mm,厚さ10mm(MAX)

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ICPドライエッチング装置

ICPドライエッチング装置

製造元: サムコ(株)製
型 式: RIE-101iPHJF
用 途: シリコン、酸化膜、金属等の
     エッチング

仕様
 放電方式:ICP型高密度プラズマ
 RF出力:ICP 1KW(MAX) 13.56MHz
BIAS 300KW(MAX) 13.56MHz
 主排気:ターボ分子ポンプ
 試料ホルダ: 100 mmφ MAX
 ロードロック機構付
 基板加熱:オイルチラー方式
        200℃ MAX

導入ガス: CF4, O2, Ar, C3F8

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プラズマドライクリーニング装置

プラズマドライクリーニング装置

製造元: サムコ(株)
型 式: PC-300J
用 途: 基板表面洗浄
     残渣有機物除去

仕 様
 RF出力:300w(MAX) 13.56MHz
 基板サイズ:最大8インチφ
 連続運転時間:99min(MAX)

  RIEモード/プラズマエッチングモードが選択可能

接続ガス: O2,Ar,O2

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抵抗加熱蒸着装置

抵抗加熱蒸着装置

製造元: キャノンアネルバ(株)
型 式: L-043E
用 途: 金属薄膜の堆積

仕様
 下側電極数:3(スイッチによる切り替え)
 ボート型ヒーターによる上向き堆積
 主排気:ターボ分子ポンプ
  バルブ開閉は全てマニュアル式
 チャンバー開閉:上下電動式
 基板ホルダ回転機構:無

適応:Au, AuZnNi, AuGeNi

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電子ビーム(EB)蒸着装置

電子ビーム(EB)蒸着装置

製造元: 神港精機(株)
型 式: AAMF-C1050SB
用 途: 金属薄膜形成

仕 様
 主排気:クライオポンプ
 電子銃:10kw6連
 基板ホルダ:3インチφ 6枚 

 金属膜の多層自動堆積可

 適応:Ti, Pt, Au, Ni, Cr 等

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シンター炉

シンター炉

製造元: ケミトロニクス(株)
型 式: OS-3500E
用 途: オーミック電極形成用熱処理
     (N2 雰囲気中)

仕 様
 プロセス温度:~600 ℃(MAX)
 ウエファサイズ:3インチφ(MAX)

その他:
ウエファ25枚カセット、自動搬送にて加熱処理が可能。

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お問い合わせについて

お問い合わせは下記先端ICTデバイスラボ事務局へお願いいたします。

メールアドレス
sentan.ict@ml.nict.go.jp
郵便等宛先
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東京都小金井市貫井北町4-2-1
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FAX番号
042-327-6491

土曜、日曜、祝祭日については受付をしておりません。
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